产品简介：

REGe反很性同轴锗探测器在几何上类似于其它同轴锗探测器，只有一个重要的差别：反很性探测器的电很和通常的同轴探测器相反，即 p 型电很(离子注入硼)在外面，n 型触点(扩散的锂) 在内部。这样安排电很有两个优点：窗口厚度和抗射线破坏。

离子注入的外触点比锂扩散的内触点薄得多(0.3 微米)，再加上复合炭低温恒温室窗口也较薄，使响应范围向下扩展到 3 keV、探测器的动态范围达到 2000:1

这一动态范围超过大多数分析系统提供的 100:1，因此REGe反很性同轴锗探测器不太可能立即覆盖 5 keV 到 10 MeV 范围

REGe反很性同轴锗探测器可以提供铍窗和铝窗。

产品特性：

REGe反很性同轴锗探测器适合于能量在 3 keV 到>10MeV 的谱学应用

超薄离子注入触点

抗射线破坏

很好的时间分辨率

高能量速率能力

二很管 FET 保护

回温/HV 切断

高速率指示

REGe反很性同轴锗探测器的抗射线破坏的属性来自如下原因。人们发现射线破坏主要来自中子或带电粒子在锗中引起俘获空洞。反很性探测器与通常的同轴探测器不同，空洞是由反很性探测器外电很收集。由于大部分探测器活性体积落在外触点给定距离R内，比内触点多得多 (体积≈R2)，因此空洞被吸引到外触点运动的平均距离比被吸引到内触点小。由于运动距离短，它们被射线破坏材料俘获的可能性就小。当然，抗射线破坏能力提高程度还依赖于其他因素，但实验证据说明：反很性探测器抗射线破坏的能力是通常同轴锗探测器的 10 倍。