全球专业的沉积设备制造商，为各个领域的客户提供完善的薄膜沉积解决方案：电子束蒸发系统、热蒸发系统、超高真空蒸发系统、分子束外延MBE、有机分子束沉积OMBD、等离子增强化学气相淀积系统PECVD/ICP Etcher、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积、离子泵等；

磁控溅射系统：

1.静态溅射系统（Static Sputtering System）

2.磁控共溅镀系统（Co-Sputtering System）

3.反应射频磁控溅射系统（Reactive Sputtering System）

4.Rotating Planarity Sputtering System

5.Rotating Drum Sputtering System

6.Cluster Tool Sputtering System

7.在线溅射系统（In-line Sputtering System）

1.磁控溅射枪和电源：
•圆形溅射枪
--溅射枪：1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10, 12, 13 inch
--超高真空溅射枪：1, 2, 3, 4 inch
•永磁体：NdFeB
--固定磁体：薄膜均匀性<±3.0 %
--移动磁体：薄膜均匀性<±1.5 %
•阴极：OFHC Copper
•矩形溅射枪
--宽：1,5 to 4 inch (to 10 inch for double erosion)
--长度：5 to 25 inch (to 120 inch for large planar area deposition)
--永磁体：NdFeB
--阴极：OFHC Copper
•电源
•直流电源：1 to 20 kW
•中频电源: 1 to 20 kW
•射频电源：0.3 to 15 kW

2.薄膜沉积控制：
•IC-5 and PC Control
--沉积参数控制
--石英晶体振荡传感器-Single, dual or six sensor
•膜厚监控和沉积过程计算机控制
•膜厚监控和沉积速率计算机控制
•大面积沉积（如 ITO上沉积LCD）
•可升级为在线磁控溅射系统
•基底尺寸：20 up to 120 inch
•质量流量和自动压力控制
--质量流量控制器：多种气体控制
•Baratron真空规：用于等离子体处理
•节流阀和控制器

3.真空室：
•圆柱形腔体
--直径: φ300 ~ 2,000 (Substrate : 2 to 12 inch, 1 to 400 sheets)
--高度: 500 mm
•方形腔体
•根据客户需求定制
•带自动样品递送装置的Loadlock样品加载室

4.真空泵和测量装置：
•低真空：干泵和convectron真空规
•高真空：涡轮分子泵，低温泵和离子规

5.控制系统：
•硬件：PLC和计算机触摸屏控制
•自动和手动沉积控制

•射频电源：基底预先清洗和等离子体辅助沉积
•温度控制器：基底加热
•大面积基底传送装置
•冷却系统