某传感器制造商为了制备出具有高结晶度、大比表面积、排列规则的纳米结构 WO₃ 薄膜, 经过对比选择, 采用  KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380  辅助磁控溅射沉积设备镀制 WO₃ 薄膜.

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

气体传感器可以将被检测气体的种类、浓度等信息转变为可测信号, 并将计算机与被检测到的信号连接口相连接, 构成自动的监控、检测和报警系统. 氧化钨薄膜可以吸附各种气体, 从而导致薄膜的电阻或光学参数的变化, 常常应用于气体传感器领域.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

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