特点： 
· 易于安装
· 基于视窗结构的软件，很容易操作
· 先进的光学设计，以确保能发挥出zei佳的系统性能
· 能够自动的以0.01度的分辨率改变入射角度
· 高功率的DUV－VIS光源，能够应用在很宽的波段内
· 基于阵列设计的探测器系统，以确保快速测量
· zei多可测量12层薄膜的厚度及折射率
· 能够用于实时或在线的监控光谱、厚度及折射率等参数
· 系统配备大量的光学常数数据及数据库
· 对于每个被测薄膜样品，用户可以利用先进的TFProbe3.0软件功能选择使用NK数据库、也可以进行色散或者复合模型（EMA）测量分析；
· 三种不同水平的用户控制模式：专家模式、系统服务模式及初级用户模式
· 灵活的专家模式可用于各种独特的设置和光学模型测试
· 健全的一键按钮(Turn－key)对于快速和日常的测量提供了很好的解决方案
· 用户可根据自己的喜好及操作习惯来配置参数的测量
· 系统有着全自动的计算功能及初始化功能
· 无需外部的光学器件，系统从样品测量信号中，直接就可以对样品进行精确的校准
· 可精密的调节高度及倾斜度
· 能够应用于测量不同厚度、不同类型的基片
· 各种方案及附件可用于诸如平面成像、测量波长扩展、焦斑测量等各种特殊的需求
· 2D和3D的图形输出和友好的用户数据管理界面。

系统配置： 
· 型号：SE200AA-M300
· 探测器：阵列探测器
· 光源：高功率的DUV-Vis-NIR复合光源
· 指示角度变化：可编程设定，自动可调
· 平台：ρ-θ配置的自动成像
· 软件：TFProbe 3.2版本的软件
· 计算机：Inter双核处理器、19”宽屏LCD显示器
· 电源：110–240V AC/50-60Hz，6A
· 保修：一年的整机及零备件保修

规格： 
· 波长范围：250nm到1000 nm
· 波长分辨率: 1nm
· 光斑尺寸：1mm至5mm可变
· 入射角范围：10到90度
· 入射角变化分辨率：0.01度
· 样品尺寸：zei大直径为300mm
· 基板尺寸：zei多可至20毫米厚
· 测量厚度范围*：0nm〜10μm
· 测量时间：约1秒/位置点 
· 精确度*：优于0.25％
· 重复性误差*：小于1 Ǻ

选项:                  
· 用于反射的光度测量或透射测量
· 用于测量小区域的微小光斑
· X－Y成像平台(X-Y模式，取代ρ-θ模式)
· 加热/致冷平台
· 样品垂直安装角度计
· 波长可扩展到远DUV或IR范围
· 扫描单色仪的配置
· 联合MSP的数字成像功能，可用于对样品的图像进行测量

应用:                  
· 半导体制造（PR，Oxide, Nitride..) 
· 液晶显示（ITO，PR，Cell gap... ..） 
· 医学，生物薄膜及材料领域等
· 油墨，矿物学，颜料，调色剂等
· 医药，中间设备
· 光学涂层，TiO2, SiO2, Ta2O5... .. 
· 半导体化合物
· 在MEMS/MOEMS系统上的功能性薄膜
· 非晶体，纳米材料和结晶硅
· 应用于太阳能电池项目上

应用实例:   

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