通常情况下，离子束切割技术制备平整断面时，以片状为主来做离子束切割，以块状待加工面积较大时，采用旋转抛光的方式。徕卡三离子束切割仪EM TIC 3X制备平整面时，有其独特优势，离子枪为鞍型场枪，热量分散，加工样品平整面积大，对样品热损伤小。

在实际使用三离子束EM TIC 3X技术获取样品无应力平整断面时，粉末样品的剖面是常常会遇到的，根据离子束设备对样品的要求，完全可实现粉末样品的加工，如金属及氧化物粉体材料，无机粉体材料，高分子粉体材料以及复合粉体材料等，只需将适量粉体材料包埋为块体即可。通常为片状。

在包埋粉体类样品时，通常有三种方法，树脂包埋法，导电碳胶包埋法，刮片法，在此处介绍前两种方式，此二种方式简单易操作，且切出面积大，不仅可以用于扫描电镜，原子力显微镜等形貌分析，也可做能谱定性定量分析，EBSD的晶粒取向等分析。

对于树脂包埋法，制备所需准备为：树脂，包埋板，加热台，砂纸。大致流程如下：取适量样品成团聚状态放入包埋板中，树脂混合均匀后注入包埋板，在有样品的位置做局部的搅拌（样品若分散开则单位面积颗粒少，即加工后单位面积中颗粒剖面少），加热台加热即可固化，之后将待加工面磨抛出来即可，若想效果最佳，效率最高，则与徕卡精研一体机EM TXP配合最为完美，样品固定后，锯片切到颗粒最多位置，换抛光片由粗到细磨抛即可。

样品制备

适宜为透射描电和扫描电镜样品制备, 在实验室无需设立两台不同的仪器，结果节省成本。

局域网兼容

通过局域网，用户可以通过外部进行操控和监视样品处理过程，为用户提供极大的灵活度和便利性。

液氮冷冻系统

可选配的LN2冷却系统，使用Cu质地的专门的样品台，确保样品真正冷却，使对热敏感的样品进行样品处理时无假象产生，适用于TEM和SEM样品处理，使针对不同种类样品处理的方法更灵活多变。

全自动多功能离子束研磨系统，可进行离子减薄（用于TEM）；离子束抛光，离子刻蚀，样品离子清洗及斜坡切割（用于SEM）等

离子束能量1keV 10keV，2把离子枪可分别±45°倾斜，样品台倾斜角度-120°至210°，离子束加工角度0°至90°，样品平面摆动角度<360°，垂直摆动距离±5mm

可容纳最大样品尺寸：直径25mm，高度12mm

可选配样品台：TEM样品台（Ø3.0mm或Ø2.3mm），FIB样品清洗台，SEM样品台，斜坡切割样品台（对样品35°或90°斜坡切割）及相应冷冻样品台

全无油真空系统，样品室带有预抽室，保证样品交换时间<1分钟

全电脑控制，触摸屏操作界面，内置视频观察系统，可实时观察样品出来过程