随着传统场效应晶体管 (FET) 的逐渐规模化，如何克服短沟道效应的不利影响变得越来越重要。在这里，二维 (2D) 材料能够将载流子限制在一个平面内，进而改善静电栅极的控制，并能够进一步扩展摩尔定律。在二维材料中，过渡金属硫化物（TMD）由一层过渡金属M组成，夹在两层硫原子X之间，形成化学式MX2. MoS2, WS2, MoSe2和 WSe2都是常见的过渡金属硫化物, 由于它们的晶格结构而具有半导体特性。它们的单分子层显示出直接的带隙，可以表现出优异的电学、光学和机械材料特性。目前过渡金属硫化物正在被广泛地进行研究，预计会在纳米电子学、光电子学和新型器件制造领域产生巨大影响。