解决方案 | LabMS 3000 ICP-MS测定硅片表面杂质元素含量-应用文献-

方案摘要

解决方案 | LabMS 3000 ICP-MS测定硅片表面杂质元素含量

前言

硅片是半导体制造业的基础材料，硅片表面极其少量的金属杂质元素污染都可能导致器件的功能丧失或者可靠性变差，随着半导体制程的不断提高，对金属离子污染物的控制也越来越严格。

本实验参考《GB∕T 39145-2020硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》，采用LabMS 3000s ICP-MS测定硅片表面杂质元素含量。LabMS 3000s采用的加强型离子透镜和偏转技术，结合高性能冷等离子技术和新一代碰撞反应池技术，可有效消除干扰，从而获得更低的检测限、背景等效浓度和准确的超痕量分析结果，保证数据质量。

1.实验

1.1 仪器设备

LabMS 3000s 电感耦合等离子体质谱仪，莱伯泰科

仪器参数，见表1。