多为莱博 美国SI-435 硅二极管温度传感器
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多为莱博 美国SI-435 硅二极管温度传感器

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天津多为莱博科技有限公司
产品特点
温度范围:1.5K - 400K 激励电流:10µA ±0.1% 重复性:10mK @4.2K, 16mK @77K, 75mK @273K 磁场影响:0.1T@40K以下不建议使用 引线:37awg铜,聚酰亚胺绝缘,3英寸标准长度 安装选项:SMD, CAP,圆筒,所有SI Bobbin型号
产品描述

 

     SI-435 硅二极管温度传感器适合在测量较宽温度范围时应用,最高温度达400K。 SI-435有两种封装形式,适合在不同结构中使用,其CAP封装传感器是目前世界上体积最小的二极管传感器。 

 

规格:

温度范围:1.5K - 400K

激励电流:10µA ±0.1%

重复性:10mK @4.2K, 16mK @77K, 75mK @273K

磁场影响:0.1T@40K以下不建议使用

引线:37awg铜,聚酰亚胺绝缘,3英寸标准长度

安装选项:SMD, CAP,圆筒,所有SI Bobbin型号

 

引线选择

铜线 绝缘:聚四氟乙烯

4线30/36AWG

磷青铜线 绝缘:聚酰亚胺

4线30/32/36AWG

 

灵敏度

41mV/K@4.2K

1.7mV/K@77K

2.3mV/K@273K

 

标准误差范围

1.5k-30K30K-100K100K-400K
±0.2K±0.4K±1.0K

 

封装形式

 

典型温度响应及灵敏度曲线:

>>点击查看详细信息

SI-435-Data_sheet

SI-43510uATypResp

 

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