2018年8月5日-9日，在美国马里兰州的巴尔的摩市召开的美国电镜年会“M&M 2018”上，TESCAN重磅发布了最新一代的氙等离子源双束电镜系统 S9000X！

现今，半导体器件的物理故障分析已经成为一项极其复杂的任务，需要处理越来越小的高密度和高功能器件。而随着新纳米技术和纳米材料的发展、集成电路的设计和体系结构的日益复杂，就需要更加可靠的分析平台，以匹配集成电路、光电器件等的发展。

此次 TESCAN 发布的双束电镜新品 TESCAN S9000X，是一个强大的双束电镜分析应用平台，专门设计来应对这样的挑战。S9000X Xe FIB-SEM 配备超快速的氙等离子源，具有极高的精度和极高的效率。其最新一代Triglav™镜筒的探测器系统具有非常优异的表面灵敏度和出色的对比度；另一方面，新的 iFIB+™ 离子镜筒进一步扩大了Xe等离子FIB的应用领域，提升了大体积样本微加工和3D微量分析的能力，并且大大缩短了加工时间。

△ TESCAN 新品 Xe FIB-SEM S9000X

在此次举办的电子显微学盛会M&M2018上，TESCAN总部携旗下子公司TESCAN USA,ORSAY PHYSICS, TESCAN DO BRASIL共同参展，并重磅发布了该款双束电镜新品S9000X，展览非常成功，S9000X的发布和亮相吸引了众多观众眼球；同期，TESCAN全球团队也举办了多场应用和技术讲座！

△ 展会同期  TESCAN 应用技术讲座

△ TESCAN 新品 S9000X 引起广泛关注

TESCAN S9000X新一代Xe FIB-SEM系统提供了纳米尺寸结构分析所必需的高分辨率和表面灵敏度，为大体积 3D 样品特性分析提供了最佳条件；同时，它还提供优异的FIB功能，可实现精确、无损的超大面积加工，包括封装技术和光电器件的横截面加工，为大尺寸试样进行高效率制备和高分辨表征提供了最佳的解决方案。

主要特点

• 新一代Triglav™UHR SEM镜筒具有极佳的分辨率，优化的镜筒内探测器系统在低束流能量下具有卓越的性能，信号检测效率提高3倍

• Triglav™还具有自适应束斑优化功能，可提高大束流下的分辨率，快速实现EDS, WDS和EBSD等分析

• 新型iFIB +™Xe等离子FIB镜筒具有超大视野，30 keV下最大视场范围超过1 mm，可在几个小时内实现极大面积的截面加工

• 新一代SEM镜筒内探测器结合高溅射率FIB，可实现3D微量分析的超快数据采集。 并且，EDS和EBSD数据可以在FIB-SEM断层扫描期间同时获得

• 专利的气体增强腐蚀和加工工艺，尤为适合封装和IC去层应用

• 全新立体设计的Essence 软件，可实现更轻松、更快速、更流畅的操作，包括碰撞模型和可定制的面向应用流程的布局

案例展示

 

△ OLED显示屏1086 μm宽的横截面制备，FoV: 1.26 mm

△  SiAlON-石墨烯样品的3D微分析，显示不同相分布的精确信息；分析体积：22×22.3×66.9μm³

领域：纳米材料

标签：电镜 半导体 TESCAN S9000X