硬件和软件概述碎片离子的生成：低碰撞诱导解离和高碰撞诱导解离全扫描分析很有用，因为该分析显示了离子源中存在的、给定质量范围内的所有离子。 因为全扫描分析提供了在选定质量范围的检测限之上出现的所有电离化合物的全貌，所以该分析经常用于样品特性、结构解析和杂质分析。 它还是开发 SIM 数据采集方法的起点 （接下来讨论）。选定离子监测 (SIM) 模式为获得最佳的灵敏度，四极杆将在 SIM 模式下进行操作。 在 SIM模 式 中，四 极 杆 只 分 析 具 有 几 个 指 定 m / z 值 的 信 号。 所 需 的RF/DC 电压设置为一次只过滤一个质量。 四极杆只逐步处理分析员选择的值，而不是逐步处理给定质量范围内的所有 m/z 值。 因为四极杆花费将多时间采样每个选定的 m/z 值，所以系统能检测较低级别的样本。SIM 模式明显比扫描模式更灵敏，但只提供较少离子的信息。扫描模式通常用于定性分析或预先不知道分析物质量时的定量分析。SIM 模式用于对目标化合物进行定量分析和监测。碎片离子的生成：低碰撞诱导解离和高碰撞诱导解离建立数据采集方法时，您可使用碰撞诱导解离设置来控制解离量。您可以在 “方法和运行控制”视图中建立方法，如第 3章所述。碎 片 离 子 （也 称 为 产 物 离 子）通 过 分 解 离 子 前 体 而 形 成。 在Agilent 6100 系列四极杆 LC/MS 系统上，解离区域位于毛细管出口和锥孔体之间，那里的气压大约为 2 到 3 torr。根据该区域的电压，离子前体也许能保持不变地通过，也许被解离。当向该区域施加较低电压时，离子保持不变地通过。即使这些离子与该区域的气体分子发生碰撞，通常也没有足够能量进行解离。（请参见图 6。）硬件和软件概述 1碎片离子的生成：低碰撞诱导解离和高碰撞诱导解离Agilent 6100 系列四极杆 LC/MS 系统概念指南 17图 6 磺胺甲嘧啶的质谱—低碰撞诱导解离m/z100 200 300050000100000150000200000250000300000350000279.1301.0280.0281.0 [M + Na]+[M + H]+S NHH2NOO NNCH 3CH 318 Agilent 6100 系列四极杆 LC/MS 系统概念指南1 硬件和软件概述碎片离子的生成：低碰撞诱导解离和高碰撞诱导解离图 7 磺胺甲嘧啶的质谱—高碰撞诱导解离如果增加电压，离子拥有更多的平动能。然后，如果离子与气体分子发生碰撞，碰撞将平动能转化为分子振动，分子振动可导致离子解离。这称为碰撞诱导解离 (CID)。图 7 显示了一个示例。即使发生该解离的位置不是离子在大气压力下形成的位置，按惯例还是称这种解离为“源内 CID”。通过分子解离得的离子用于结构测定或确认是否存在特定化学核素。通过使用中间解离电压，可以在同一个光谱里同时生成分子离子和碎片离子。FIA —流动注射分析 理想的解离电压取决于化合物的结构和分析的需求。 对于目标化合物分析，较好的方法是预先确定化合物对碰撞诱导解离设置的响应。 达到这个目的最快方法是使用流动注射分析 (FIA) 系列。 使用 FIA 系列，您可以在同一次分析中多次注入化合物，并在不同的时间窗口里改变碰撞诱导解离设置。 您可以从结果数据评判最佳碰撞诱导解离设置。有关 FIA 的详细信息，请参见第 64 页的“流动注射分析”。m/z100 200 3000200004000060000 [M + H]+[M + Na]+80000124.1186.0279.1156.1108.2301.0323.0213.2107.1280.1125.1187.0157.1NHH2NOO NNCH 3CH 3Sm/z156m/z186m/z124m/z213m/z108