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建立一套基于超高真空俄歇电子能谱的原位加热系统,对GaN薄膜进行热效应研究．随着温度的增加,Ga LMM和Ga MVV的动能减小．利用第一性原理计算,获得理论的GaMVV俄歇谱.加热过程由于晶格热膨胀以及表面原子再构引起价电子态密度发生变化,从而导致价带俄歇谱负移．
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