用 X射线光电子能谱 ( XPS)对微波等离子体 ( MPCVD)合成的金刚石进行了 Ar离子溅射效应原位分析 .原始表面的 C1 s光电子峰位于 2 85 .80 e V,随着溅射时间的延长 ,C1 s峰位向低结合能方向移动 ,1 h后移至 2 85 .40 e V.在溅射过程中 ,C1 s的半高峰宽 ( FWHM)由最初的 1 .80 e V增加到 2 .2 0 e V.C1 s峰的解叠结果表明经 Ar离子溅射后 ,金刚石表面出现了石墨态碳 ,而且其含量随溅射的增强而增加 .由于 Ar离子的溅射 ,俄歇电子谱 ( XAES)也发生了明显的变化 ,XAES微分特征距离 D值则由 1 4 .3 7e V增加到 1 9.3 4e V,同时 C的价带电子谱 ( VBS)金刚石特征消失 ,这些结果补充证明了 Ar离子的溅射效应是诱导金刚石向石墨转化 .
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