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纳米线黑森林
来看看GaAs/GaInP纳米线形成的黑森林SEM照片。纳米线分两步长成:树干GaAs通过金属有机物气相外延法(MOVPE)使用金颗粒作为种子。取出反应容器中的样品,并在样品表面喷一层HSQ抗蚀剂。第二步MOVPE 制备GaInP时,抗蚀剂可以阻止GaInP在GaAs上生长。图片经过人工染色,但是基于EDS检测,浅绿色代表GaInP,浅棕/红色部分为GaAs。底部和基材部分的GaAs纳米线为深绿色,表示该区域检测到较多的抗蚀剂。