用于太阳能硅片粗糙度的测量，已有客户为中弘光伏股份有限公司，公元太阳能，煜辉阳光，鑫友光伏，双鸽新能源，派雅新能源等众多太阳能电池片的生产商。

平移范围 17.5mm （ 5" ）
测量范围 350μm （ ±150μm ） [12000μinch （ ±6000μinch ） ]
驱动 / 检测元件 探测仪 :178-390/178-395
测头 : 金刚石
测量力 :4mN/0.75mN
探测方式 : 微感应
评定轮廓 P , R
估计参数 Ra,Ry,Rz,Rt,Rp,Rq,Sm,S,Pc,P3z,mr
数字过滤 2CR-75%,2CR-75% PC,Gaussian-50%
截至 λC 0.25,0.8,2.5mm
波长 λS 2.5,8μm
取样长度（ L ） 0.25,0.8,2.5mm
显示 ：彩色 LCD
打印机：外置
数据输出 通过 RS232C 接口 /SPC 输出
电源通过 AC 适配器 / 电池（可充电）
尺寸 62×156.5×52mm
重量 0.48kg

微粗糙度是实际表面同规定平面的小数值范围的偏差，它有许多小的距离很近的峰和谷。它是硅片表面纹理的标志。表面微粗糙度测量了硅片表面zui高点和zui低点的高度差别，它的单位是纳米。粗糙度的标准是用均方根来表示的，它是规定平面所有测量数值的平方的平均值的平方根。这是一个用来确定zui可能的测量数据的普通统计方法。硅片表面的微粗糙度的测量是用几种光学表面形貌分析仪的一种进行的。

对芯片制造来讲，表面微粗糙度的控制非常重要，这是因为在器件制造中，它对硅片上非常薄的介质层的击穿有着负面影响。硅片在磨片后要刻蚀以去除表面微粗糙度。