臭名昭著的MOS管米勒效应（一）

如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T＝20ms进行开启和截止状态的切换。

首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs＝2V的时候有一个小平台，有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台？

MOS管Vgs小平台

带着这个疑问，我们尝试将电阻R1由5K改为1K，再次仿真，发现这个平台变得很小，几乎没有了，这又是为什么呢？

MOS管Vgs小平台有改善

为了理解这种现象，需要理论知识的支撑。

MOS管的等效模型

我们通常看到的MOS管图形是左边这种，右边的称为MOS管的等效模型。

其中：Cgs称为GS寄生电容，Cgd称为GD寄生电容，输入电容Ciss＝Cgs＋Cgd，输出电容Coss＝Cgd＋Cds，反向传输电容Crss＝Cgd，也叫米勒电容。

如果你不了解MOS管输入输出电容概念，请点击：带你读懂MOS管参数「热阻、输入输出电容及开关时间」

米勒效应的罪魁祸首就是米勒电容，米勒效应指其输入输出之间的分布电容Cgd在反相放大的作用下，使得等效输入电容值放大的效应，米勒效应会形成米勒平台。

首先我们需要知道的一个点是：因为MOS管制造工艺，必定产生Cgd，也就是米勒电容必定存在，所以米勒效应不可避免。

那米勒效应的缺点是什么呢？

MOS管的开启是一个从无到有的过程，MOS管D极和S极重叠时间越长，MOS管的导通损耗越大。因为有了米勒电容，有了米勒平台，MOS管的开启时间变长，MOS管的导通损耗必定会增大。

仿真时我们将G极电阻R1变小之后，发现米勒平台有改善？原因我们应该都知道了。

MOS管的开启可以看做是输入电压通过栅极电阻R1对寄生电容Cgs的充电过程，R1越小，Cgs充电越快，MOS管开启就越快，这是减小栅极电阻，米勒平台有改善的原因。