图8：100％扭力电流下每个开关的功率耗损

图8则是在100％扭力电流下以同样方式进行比较。

功率耗损分为开关（传导和切换）和反平行二极体，以找出主要差别。和硅基IGBT相比，碳化硅MOSFET解决方案很明显可大幅降低整体功率损耗。有这样的结果是因为无论静态和动态状况下，不分开关或二极体，功率耗损都会减少。

最后，无论是4或8 kHz的切换频率，两种负载状况的功率耗损减少都落在50％范围以内。

从这些结果可以看出，这样做就能达成更高的能源效率，减少散热片的散热需求，对重量、体积和成本来说也都有好处。

表3总结了整个反相器相关功率耗损的模拟结果（作业点100％），以及为了让两种元件接面温度维持在110 °C所必需的相关散热片热电阻条件。

表3：模拟结果概况（作业点100％）

在模拟所设定的条件下，当8 kHz时Rth会从硅基IGBT的0．22 °C／W降到碳化硅MOSFET的0．09 °C／W。大幅减少代表散热片可减容5：1（就强制对流型态的产品而言），对系统体积、重量和成本有明显好处。在4 kHz的状况下，Rth会从0．35降到0．17 °C／W，相当于4：1容减。

5．对能源成本的经济影响

当工业应用对能源的需求较高且必须密集使用，能源效率就成了关键因素之一。

为了将模拟的能源耗损数据结果转换成能源成本比较概况，必须就年度的负载设定档和能源成本这些会随著时间或地点而有所不同的参数，设定一些基本假设。为达到简化的目的，我们把状况设定在只含两种功率位阶（负载因素100和50％）的基本负载设定档。设定档1和设定档2的差别，只在于每个功率位准持续的时间长短。为凸显能源成本的减少，我们将状况设定为持续运作的工业应用。任务档案1设定为每年有60％的时间处于负载50％，其他时间（40％）负载100％。任务档案2也是这样。

对于每个任务档案全年能源成本的经济影响，乃以0．14 €／kWh为能源成本来计算（欧洲统计局数据，以非家庭用户价格计算）。

从表4可以看出，碳化硅MOSFET每年可省下895．7到1415 kWh的能源。每年可省下的对应成本在125．4到198．1欧元之间，如电压变动比率限制不那麽严格，则可省更多。

表4：碳化硅MOSFET每年为每个任务档案所省下的能源和成本

6．结论

本文针对採用1200 V硅基IGBT和碳化硅MOSFET之工业传动用反相器，进行了效能基准测试。内容还特别探讨马达绕线和轴承保护所导致在电压变动比率方面的技术限制，接著在20 kW工业传动条件下，针对上述技术与限制进行比较。结果显示，使用碳化硅MOSFET取代硅基IGBT可大幅增加电力能源效率，即使换流速度限制在5 V／ns。比较成本后也发现，在特定的假设条件下，这种做法可减少一般工业传动应用的能源费用支出。

作者：意法半导体Carmelo Parisi，Antonino Raciti，Angelo Sciacca