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微流控技术原理及发展史(一)

2021.6.29
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王辉

致力于为分析测试行业奉献终身

微型化、集成化和智能化,是现代科技发展的一个重要趋势。伴随着微机电加工系统( MEMS )技术的发展,电子计算机已由当年的”庞然大物”演变成由一个个微小的电路集成芯片组成的便携系统,甚至是一部微型的智能手机。


MEMS技术全称Micro Electromechanical System , MEMS设想是由诺贝尔物理学奖获得者Richard Feynman教授于1959年提出,其基本概念是用半导体技术,将现实生活中的机械系统微型化,形成微型电子机械系统,简称微机电系统。
1962年全球第一款微型压力传感器面世,这一创新产品后来被应用于汽车安全(轮胎压力检测)和医疗(有创血压计),开启了MEMS时代。今天MEMS技术在军事、航天航空,生物医药、工业交通及消费领域扮演核心技术的角色,智能手机中就嵌入了多个MEMS芯片,如麦克风,加速度计,GPS定位等。

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微流控技术原理微流控(microfluidics )是一种精确控制和操控微尺度流体,以在微纳米尺度空间中对流体进行操控为主要特征的科学技术,具有将生物、化学等实验室的基本功能诸如样品制备、反应、分离和检测等缩微到一个几平方厘米芯片上的能力,其基本特征和最大优势是多种单元技术在整体可控的微小平台上灵活组合、规模集成。是一个涉及了工程学、物理学、化学、微加工和生物工程等领域的交叉学科。
微流控是系统的科学技术,它使用几十到几百微米尺度的管道,处理或操控很少量的(10*至10~18升,1立方毫米至1立方微米) 流体。最初的微流控技术被用于分析。微流控为分析提供了许多有用的功能:使用非常少的样本和试剂做出高精度和高敏感度的分离和检测,费用低,分析时间短,分析设备的印记小。微流控既利用了它最明显的特征一一尺寸小,也利用了不太明显的微通道流体的特点,比如层流。它本质上提供了在空间和时间上集中控制分子的能力。
基于微流控芯片的代表性关键技术
1、微流控分析芯片是新一代床旁诊断(Point of care testing,POCT )主流技术,可直接在被检对象身边提供快捷有效的生化指标,使现场检测、诊断、治疗成为一个连续的过程;
2、 微流控反应芯片以液滴为代表,是迄今为止最重要的微反应器,在高通量药物筛选,单细胞测序等领域显示了巨大的威力;
3、微流控细胞/器官操控芯片是哺乳动物细胞及其微环境操控最重要技术平台,渴望部分代替小白鼠等动物模型,用于验证候选药物,开展药物毒理和药理作用研究。
微流控芯片的制作技术

(1)光刻和刻蚀技术

传统的用于制作半导体及集成电路芯片的光刻和刻蚀技术,是微流控芯片加工工艺中最基础的。它是用光胶、掩膜和紫外光进行微细加工,工艺成熟,已广泛用于硅、玻璃和石英基片上制作微结构。光刻和刻蚀技术由薄膜沉积、光刻和刻蚀三个工序组成。复杂的微结构可通过多次重复薄膜沉积-光刻刻蚀这三个工序来完成。


光刻前先要在干净的基片表面覆盖一层薄膜,薄膜的厚度为数埃到几十微米,这一工艺过程称之为薄膜沉积。薄膜按性能不同可分为器件工作区的外延层,限制区域扩张的掩蔽膜,起保护、钝化和绝缘作用的绝缘介质膜,用作电极弓|线和器件互连的导电金属膜等。膜材料常见有二氧化硅、氮化硅、硼磷硅玻璃、多晶硅、电导金属、光刻抗蚀胶、难熔金属等。制造加工薄膜的主要方法有氧化、化学气相沉积、蒸发、溅射等。


在薄膜表面均匀地覆盖上一层光胶,将掩膜上微流控芯片设计图案通过曝光成像的原理转移到光胶层上的工艺过程称为光刻。光刻技术一般有以下基本工艺过程构成:
1.基片的预处理。通过脱脂、拋光、酸洗、水洗的方法使基片表面净化,确保光刻胶与基片表面有良好的粘附。
2.涂胶在经过处理的基片表面均匀涂覆一层粘性好、厚度适当的光刻胶。胶膜太薄,易生成针孔,抗蚀能力差;太厚则不易彻底显影,同时会降低分辨率。光刻胶的实际厚度与它的粘度有关,并与甩胶机的旋转速度的平方根成反比。涂胶方法有旋转涂覆法、刷涂法、浸渍法、喷涂法。
3.前烘在一定的温度下,使光刻胶液中溶剂挥发,增强光刻胶与基片粘附以及胶膜的耐磨性。前烘的温度和时间由光致抗蚀剂的种类和厚度决定,常采用电热恒温箱、热空气或红外热源。
前烘温度和时间要合适,若温度过高或时间过长会造成显影时留下底膜或感光灵敏度下降,腐蚀时出现小岛;若温度过低或时间过短,会造成显影后针孔增加,或产生浮胶、图形变形等现象。
4.曝光将已制备好所需芯片图形的光刻掩膜覆盖在基片上,用紫外线等透过掩膜对光刻胶进行选择性照射。受光照射的光刻胶发生化学反应。
在实际操作中,曝光时间由光刻膜、胶膜厚度、光源强度以及光源与基片间距决定。曝光的方式有化学曝光、接触式和接近式复印曝光、光学投影成像曝光。


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