非常好的位置分辨率
这是硅微条探测器最突出的特点。它的位置分辨率是应用的各种探测器中最高的，可做到1.4μm。主要因为固体的密度比气体大100倍左右，带电粒子穿过探测器，产生的电子2空穴对(e-h)的密度非常高，大约为110e-h/μm[2]。
另外由于现代半导体技术工艺，光刻技术及高集成度低噪声读出电子学的飞速发展，每个读出条可对应一路读出电子学，更有利于空间分辨率的提高。
很高的能量分辨率
半导体探测器的能量分辨率比气体探测器大约高一个数量级，比闪烁计数器高得更多。这是因为在硅半导体中电离产生一对电子2空穴对(e-h)只需要3eV左右的能量，而气体中产生一对离子对所需能量大约为30eV，塑料闪烁探测器在光阴极上产生一个光电子需要的能量大约为300eV。带电粒子在硅半导体中的能量损失也很高，在硅晶体中，能量损失大约390eV/μm。因此，同样能量的带电粒子在半导体中产生的电子2空穴对数要比气体中产生的离子对高一个数量级以上。这样电荷数的相对统计涨落也比气体小很多。
很宽的线性范围
由于在一定能量范围内，半导体的平均电离能与入射粒子的基本能量无关，故半导体探测器具有很好的线性，很宽的线性范围。
非常快的响应时间
在半导体探测器中，由于采用微电子工艺的半导体探测器很薄，它的电荷在很小的区域里收集，响应时间非常快，一般可达到5ns左右。因此，可以实现高计数率，可超过108/cm2·s。
体积可做得很小
由于硅半导体密度大，有一定的刚度，它可以做得很薄并能自身支持，典型的厚度是300μm左右，当带电粒子穿过时，大约可产生3.2×104电子-空穴对。有的还可做得更薄，整个探测器可以作得很小。
缺点
对辐射损伤比较灵敏，如果受到强辐射其性能将变差。但各国科学家就此问题从技术上正在进行不断地改进提高。
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