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认真做好每一件喜欢的事，把每一件要做的事都变成喜欢并认真去做的事
工作条件
为了降低探测器本身的噪声和FET的噪声，同时为降低探测器的表面漏电流，锂漂移探测器和场效应管FET都置于真空低温的容器内，工作于液氮温度(77K) [6] 。
对Ge(Li)探测器，由于锂在锗中的迁移率较高，须保持在低温下，以防止Li+Ga-离子对 离解，使Li+沉积而破坏原来的补偿； 对Si(Li)探测器，由于锂在硅中的迁移率较低，在常温下保存而无永久性的损伤。
存在问题
Li漂移探测器的问题：低温下保存代价很高；漂移的生产周期很长，约30～60天。
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