1、性质不同：互补金属氧化物就是互补金属氧化物半导体，是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。HMOS描述了集成电路中MOS管的结构，即在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。
2、用途不同：CMOS感光器件主要应用于少数名片扫描仪和文件扫描仪。在MOS三明治结构上，金属电极相对于P型半导体的情况下，外加正电压，对N型半导体外加负电压，就会形成与PN结合面相同的现象，也就是最初在氧化膜下会产生耗尽层。
3、特点不同：互补金属氧化物主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，使其在CMOS上共存着带N（带–电） 和 P（带+电）级的半导。HMOS在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。
首页
