日本东京大学与理化学研究所、东北大学、原子能研究机构等合作研究，成功地将自然界存储丰富的铁硅化合物应用于不使用电源也能保持记忆的“非挥发性存储”信息记忆技术。研究发现，铁硅化合物的表面与晶体内部不同，具有与磁铁相同性质，可通电。这一成果将有助于电子器件的省电化和高功能化。
以前，铁硅化合物因结晶内部没有磁铁的性质不处于能通电的状态，被认为不适用于电子器件的应用。但研究对铁硅化合物表面状态进行研究时发现，在其表面下约0.3纳米内的极浅层存在磁铁和通电特性。进一步的研究表明，电流可以控制磁化方向。因此，铁硅化合物可以应用于利用磁化方向记忆信息并通过电流高速控制的非易失性存储器。
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