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因为半导体表面态是关系到少数载流子浓度的改变，而少数载流子存在有一定的复合寿命和产生寿命，浓度变化不是瞬间能完成的，所以表面态对mos结构cv特性影响，主要表现在对cv特性曲线形状的影响：使得强反型时的低频cv曲线上升到氧化层电容值，同时使得cv曲线沿着电压方向有所延伸，而且曲线变得不平滑、呈现出波动。在最小电容对应的电压处，低频cv曲线与高频cv曲线之间的电容差就直接反映了表面态密度的大小。
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