激发光谱（PLE）和发射光谱（PL）。激发光谱：固定发射光的波长，改变激发光的波长，记录荧光强度随激发波长的变化。发射光谱：固定激发光的波长，记录不同发射波长处荧光强度随发射波长的变化。
无论是激发还是发射荧光光谱图，其都是记录发射荧光强度随波长的变化。如果荧光光谱中纵坐标为强度，横坐标为波长。那么就能获取峰位和半峰宽。峰位的直观体现是荧光的颜色；半峰宽则表示荧光的纯度。
光致发光光谱
光致发光光谱（Photoluminescence Spectroscopy，简称PL谱），指物质在光的激励下，电子从价带跃迁至导带并在价带留下空穴；电子和空穴在各自的导带和价带中通过弛豫达到各自未被占据的最低激发态（在本征半导体中即导带底和价带顶），成为准平衡态。
准平衡态下的电子和空穴再通过复合发光，形成不同波长光的强度或能量分布的光谱图。光致发光过程包括荧光发光和磷光发光。
光谱应用
在激发光能量不是非常大的情况下，PL测试是一种无损的测试方法，可以快速、便捷地表征半导体材料的缺陷、杂质以及材料的发光性能。
1、组分测定；对三元系或四元系合金，如InxGa1-xN等，通过PL峰位确定半导体材料的禁带宽度，进而确定材料组分x。
2、杂质识别；通过光谱中的特征谱线位置，可以识别材料中的杂质元素。
3、杂质浓度测定。
4、变温Pl可以测试材料/器件的发光效率。
5、半导体材料的少数载流子寿命。
6、位错等缺陷的相关作用研究。
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