半导体先进工艺竞赛继续，台积电、三星竞逐3纳米。6月30日，三星电子（KRX：005930）宣布，公司3纳米工艺芯片已经开始初步生产。
三星在声明中称，其3纳米工艺将首先应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器。不过，三星没有透露其3纳米工艺的首批客户，亦未公布其生产的芯片种类和数量。
据三星声明，与三星5纳米工艺相比，其第一代3纳米工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%。三星还称，未来第二代3纳米工艺可以使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。
在芯片行业，纳米数越低，通常意味着工艺越先进，越有可能设计出性能更高的产品。台积电与三星是目前先进工艺竞赛的主要参与者。英特尔也正在奋力追赶，但与台积电、三星仍有一定距离。
此次三星赶在台积电3纳米量产前夕，宣布实现3纳米工艺初步生产。按照台积电此前公布的时间表，台积电3纳米（N3）工艺将在2022年下半年实现量产，并于2023年开始产生相关营收。4月14日的台积电一季度财报电话会上，台积电总裁魏哲家曾称，公司有望于2024年实现2纳米（N2）工艺的风险量产，较大可能在2025年下半年或年末实现量产。
多名业内人士均认为，这并不意味着三星在先进工艺上完成了对台积电的反超。一名半导体行业分析师告诉财新，业界传闻三星3纳米工艺将首先用于加密货币挖矿专用芯片，这将难以评价三星新工艺的水准。他解释称，相较于手机处理器，GPU（图形处理器）等芯片，矿机芯片在电路设计和工艺结构上都相对简单。
市场调研机构芯谋研究总监王笑龙对财新分析，三星宣布先进工艺进展，意在拿下3纳米“头彩”。“巨头竞争，‘面子’也很重要，这涉及到光刻机等紧缺的尖端设备厂商的态度。”他认为，若展现出颓势，将影响到能否从整个供应链得到最好的支持。王笑龙还称，三星在与台积电的市场竞争中处于弱势，且客户基础远弱于台积电，对内还是对外，均需要提振士气。
在先进工艺上，三星此前遭遇挫折。2021年上半年，三星因5纳米工艺良率不及预期，拖累重要客户高通旗舰产品的出货量。2022年一季度，业界还一度传出三星先进工艺良率“造假”的传闻。
多名半导体分析师均认为，高通坚持将首代旗舰产品交由三星代工，升级版才转由台积电代工的部分原因是，高通需要维护三星这个自家芯片产品的“出海口”。行业分析机构Canalys数据显示，2022年第一季度，三星继续以24%的市场占有率，稳坐全球智能手机市场冠军宝座。
值得注意的是，三星此次还特意提及，其3纳米工艺采用了被称为GAA（环绕栅极晶体管）的技术，以取代此前在先进制程上长期采用的FinFET（鳍式场效应晶体管）。IBM曾在2021年宣布成功研制出全球首款2纳米芯片，该款芯片已率先采用GAA技术。但IBM的突破并未改变此后芯片制造领域的竞争格局。台积电则计划在2025年量产的2纳米工艺中应用GAA技术。
三星是全球第二大晶圆代工厂商。2022年第一季度，三星电子营收为77.78万亿韩元（约合614亿美元），同比增长19%。其中，除存储芯片外的其他半导体业务营收为6.78万亿韩元（约合53亿美元），较2021年同期增长38.65%。台积电该季度实现营收4910.8亿新台币（约合176亿美元），同比增长35.5%。
行业分析机构集邦咨询数据显示，2022年第一季度，三星在全球晶圆代工市场的占有率为16.3%。台积电稳居第一，份额高达53.6%；联电、格芯、中芯国际分别以6.9%、5.9%和5.6%的占有率位居第三至第五。
6月30日，三星电子股价下跌1.72%，收报57000韩元/股。
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