氮化铟是一种新型的三族氮化物材料。这种材料的引人之处在于它的优良的电子输运性能和窄的能带，有望应用于制造新型高频太拉赫兹通信的光电子器件。氮化铟纳米结构是研制相关量子器件的基础。
然而，一直以来，InN纳米材料的生长往往要利用铟的氧化物或氯化物，这会在氮化铟纳米材料中引入许多杂质，致使材料的光学、电学性能大大降低。在973计划项目等的支持下，中科院半导体所的刘祥林研究小组首次提出了氢致自催化方法，用金属有机物化学气相沉积技术生长出了六角对称的氮化铟纳米花结构（Appl. Phys. Lett. 89, 071113 (2006)）。由于该方法没有使用铟的氧化物、氯化物以及其它任何外来催化剂，从而从根本上避免了外来杂质的引入，预期可以显著提高材料的光学和电学性能。
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