分析测试百科网

搜索

喜欢作者

微信支付微信支付
×

穿隧磁阻效应的概念

2023.3.15
头像

zhaoqisun

致力于为分析测试行业奉献终身

穿隧磁阻效应(Tunnel Magnetoresistance,TMR)

穿隧磁阻效应是指在铁磁-绝缘体薄膜(约1纳米)-铁磁材料中,其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的效应。此效应首先于1975年由MichelJulliere在铁磁材料(Fe)与绝缘体材料(Ge)发现;室温穿隧磁阻效应则于1995年,由TerunobuMiyazaki与Moodera分别发现。此效应更是磁性随机存取内存(magneticrandomaccessmemory,MRAM)与硬盘中的磁性读写头(readsensors)的科学基础。


互联网
仪器推荐
文章推荐