据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法、存储器“，公开号CN117320438A，申请日期为2022年6月。
专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法、存储器，其中，所述半导体结构包括：多个第一半导体柱、多个第二半导体柱、第一支撑层及存储结构；其中，所述多个第一半导体柱沿第一方向和第二方向呈阵列排布；所述第一方向和所述第二方向均与所述第一半导体柱的延伸方向垂直，且所述第一方向和所述第二方向相交；所述第一支撑层覆盖所述多个第一半导体柱的顶部侧壁；每一所述第二半导体柱位于相应的一个所述第一半导体柱上；所述存储结构至少围绕所述多个第一半导体柱和所述多个第二半导体柱的侧壁。
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