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光磁电效应和霍尔效应的异同
虽然,光磁电效应与霍尔效应相似,但是它们是不同的效应。
体现在三个方面:
1)光磁电效应中在磁场作用下移动的是电子空穴对,而霍尔效应中移动的是自由电子。
2)针对材料不同,一个是半导体材料,一个是导体材料。
3)使用情形也不一样,一个需要光照,一个不需要。
利用光磁电效应可制成半导体红外探测器。这类半导体材料有Ge、InSb、InAs、PbS、CdS等。