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人们关注的GaN的特性,旨在它在蓝光和紫光发射器件上的应用。Maruska和Tietjen首先精确地测量了GaN直接隙能量为3.39eV。几个小组研究了GaN带隙与温度的依赖关系,Pankove等人估算了一个带隙温度系数的经验公式:dE/dT=-6.0×10-4eV/k。 Monemar测定了基本的带隙为3.503eV±0.0005eV,在1.6kT为Eg=3.503+(5.08×10-4T2)/(T-996)eV。
另外,还有不少人研究GaN的光学特性。