仪器名称: | 真空互联-原子层沉积系统 |
仪器编号: | 21029113 |
产地: | 芬兰 |
生产厂家: | Picosun Oy |
型号: | R-200 Advanced |
出厂日期: | |
购置日期: | 2021-11-25 |
所属单位: | 集成电路学院>微纳加工平台>真空互联 |
放置地点: | 微电子学研究所南平房实验室108号 |
固定电话: | 01062784044 |
固定手机: | 13051135063 |
固定email: | zygao@mail.tsinghua.edu.cn |
联系人: | |
分类标签: | 半导体 薄膜 微纳 |
技术指标: | 样品最大尺寸: 8英寸(兼容2英寸) ◇ 样品不均匀性:优于1.0% ◇ 载物台最高温度: 500 °C ◇ 腔体最高温度: 500 °C ◇ 前躯体最高加热温度: 200 °C ◇ 带等离子增强功能,射频电源300 W ◇ 气路:O plasma, H2O,Al源,Ti源,Hf源,Zr源六路前躯体管路 |
知名用户: | 科学学院宋成教授课题组 |
技术团队: | 微电子所 |
功能特色: | 将物质以单原子膜形式一层一层的生长在沉底上 |
样品要求:
8英寸(兼容2英寸)
预约说明:
由于该套系统的特殊性,将采用不同以往的开放形式:使用设备团队负责人提出项目申请、项目评审委员会提出预审意见并由中心主任审批、设备工程师负责具体机时安排和使用培训。
项目名称 | 计价单位 | 费用类别 | 价格 | 备注 |
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材料生长 | 元/小时 | 自主上机机时费 | 750.0 | 使用Pt贵重前驱体需430元/10nm |