T/CASAS 014-2021
碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法
Measuring method for basal plane bending of SiC substrate — High resolution X-ray diffractometry
说明：
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- 标准号
- T/CASAS 014-2021
- 发布
- 2021年
- 发布单位
- 中国团体标准
- 当前最新
- T/CASAS 014-2021
- 碳化硅（SiC）具有高临界击穿场强、高的热导率、高电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点，可用于制作高温大功率器件。使用碳化硅作为衬底生长器件结构时，衬底质量对外延层的质量起决定性作用。大尺寸碳化硅单晶常常呈现基平面的摇摆曲线衍射峰位随着单晶直径衍射位置的改变而变化的现象，这种衍射峰位的移动源于基平面弯曲。由于基平面弯曲的存在，导致同质外延...