可测量太阳能单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命,表面无需抛光、钝化。液晶屏上直接显示少子寿命值,同时在线显示光电导衰退波形。配置的红外光源:0.904~0.905μm波长红外脉冲激光器,光穿透硅晶体深度较浅≈30μm,但光强较强,有利于测量低阻太阳能硅晶体少数载流子体寿命,脉冲功率30W。为消除陷进效应增加了红外低光照。测量范围宽广测试仪可直接测量: a、研磨或切割面:电阻率≥0.5Ω?...
非常快速的定位测试的点并测量膜层厚度,基本上所有的光滑的非金属薄膜均可测量。相关应用:半导体制造(光刻胶、氧化物/氮化物/SOI、晶圆背面研磨);LCD 液晶显示器(聚酰亚胺、ITO 透明导电膜);光学镀膜(硬涂层、抗反射层);MEMS 微机电系统(光刻胶、硅系膜层)。 R50四探针电阻率测量仪Filmetrics R50 系列提供接触式四点探针 (4PP) 和非接触式涡流 (EC)测量。...
配置的红外光源:0.904~0.905μm波长红外脉冲激光器,光穿透硅晶体深度较浅≈30μm,但光强较强,有利于测量低阻太阳能硅晶体少数载流子体寿命,脉冲功率30W。为消除陷进效应增加了红外低光照。测量范围宽广测试仪可直接测量: a、研磨或切割面:电阻率≥0.5Ω?cm的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命,切割片的少子相对寿命。 b、抛光面:电阻率在0.5~0.01Ω?...
相关应用:材料折射率消光系数测试;硅片自然氧化层厚度测试;光刻胶光学常数测试;半导体后段封装硅上金属厚度测量FS-1 多波长椭偏仪Film Sense FS-1多波长椭偏仪采用寿命长 LED 光源和非移动式部件椭偏探测器,可在操作简单的紧凑型椭偏仪中实现可靠地薄膜测量。相关应用:二氧化硅和氮化物,高介电和低介电材料,非晶和多晶材料,硅薄膜,光刻胶。...
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