针对挑战，浙江大学通过设计碳化硅单晶生长设备的新型热场、发展碳化硅源粉的新技术、开发碳化硅单晶生长的新工艺，显著提升了碳化硅单晶的生长速率，成功生长出了厚度达到 50 mm 的 6 英寸碳化硅单晶。而且碳化硅单晶的晶体质量达到了业界水平。...
记者今天从中国科学院上海硅酸盐研究所获悉，该所科技人员立足自主研发，在掌握直径2英寸、3英寸碳化硅单晶生长技术之后，2月4日，成功生长出直径4英寸4H晶型碳化硅单晶，这标志着我国碳化硅单晶生长技术达到了国际一流水平。 据介绍，碳化硅单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，饱和漂移速度高，临界击穿场强大，热导率高等诸多特点，主要用于制作高亮度LED、二极管、MOSFET等器件。...
这是该刊物首次刊登关于碳化硅单晶基光导开关的研究论文。采用透明电极的碳化硅单晶基光导开关正极（左图）、负极（中图）结构示意图和采用改变输入激光的峰值功率密度与光照面积连续调控器件导通电阻的结果（右图） 以上研究得到国家自然科学基金、国家重点研发计划和中科院等有关项目的支持。...
下图 中国科学院物理研究所陈小龙研究员在一幅演示碳化硅物理原理的图表前展示6英寸碳化硅单晶衬底（12月17日摄）。...
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