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Thyristor valves for high-voltage direct current (HVDC) power transmission - Part 1 : electrical testing.
이 표준은 플라즈마 디스플레이 패널 모듈(이하 “PDP 모듈”)의 모션 블러(motion
Plasma display panels(PDP)-Measuring method of moving picture resolution
이 표준은 셀이나 모듈 혹은 이들이 운송용 포장된 형태의 유기발광다이오드(OLED) 디스플
Organic light emitting diode(OLED) displays-Mechanical endurance test methods
이 표준은 유기발광다이오드 디스플레이 모듈(이하 “OLED 디스플레이 모듈”이라 한다.)의
Organic light emitting diode(OLED) displays-Measuring method of image sticking
이 표준은 반도체/LCD 공정 중 식각 또는 화학기상증착(CVD) 공정 장비 내부의 코팅
Method of evaluation for coating components of semiconductor and LCD process
이 표준은 플라즈마 디스플레이 모듈(PDP)의 전면 패널 강도 측정을 위한 쇠구슬 낙하 시
Plasma Display panel(PDP)-Steel ball dropping test
이 규격은 플라즈마 디스플레이 모듈(이하 “PDP 모듈”)의 소음을 측정하는 일반적인 방법
Plasma display panels-Measuring method of acoustic noise on PDP module
이 규격은 액정 디스플레이용 백라이트 유닛의 일반적인 요구사항을 규정한다. 이 규격은 품질
Liquid crystal display devices-Measurement methods of backlight unit for liquid crystal displays
이 규격은 플라즈마 디스플레이 패널 모듈(이하 “PDP 모듈”)의 장시간 사용 환경에서 기
Plasma display panels - Accelerated life tests
이 규격은 소비자 사용에 대한 텔레비전 수상기, VCR, 셋 탑 박스, 오디오 장치, 다기
Measurement methods on power consumption for audio, video and multimedia systems and equipment
이 규격은 유기발광다이오드 모듈의 환경 신뢰성에 대한 세부 사항을 제공한다.
Organic light emitting diode(OLED) displays-Environmental reliability test methods
이 규격은 플라즈마 디스플레이 패널 모듈(이하 “PDP 모듈”)의 육안 품질을 측정, 평가
Plasma display panels - Visual quality inspection method of PDP module
이 규격은 전계방출디스플레이(Field Emission Display, FED)에 관한 주
Terms and definitions of FED
이 규격은 플라즈마 디스플레이 모듈(이하 “모듈”)의 유리기판 표면온도를 측정하는 일반적인
Plasma display panels - Measuring method of glass surface temperature on PDP module
이 규격은 반도체 소자 중 다음과 같은 사이리스터에 대한 표준을 규정한다.-역방향저지
Semiconductor Devices-Discrete devices-Part 6:Thyristors
이 규격은 정전압 다이오드 및 전압 기준 다이오드의 개별 규격 지침에 대하여 규정한다.
Semiconductor devices-Discrete devices-Part 3:Signal (including switching) and regulator diodes-Section Two:Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes, excluding temperature-compensated precision reference diodes
이 규격은 다음과 같은 반도체 개별 소자에 관한 표준을 규정한다.-가변 커패시턴스 다이
Semiconductor devices-Discrete devices-Part 4:Microwave diodes and transistors
이 규격은 100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격
Semiconductor devices-Discrete devices-Part 6:Thyristors-Section one:Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient or case-rated, up to 100 A
이 규격은 100 A 초과의 주위 및 케이스 정격 정류 다이오드(애벌란시 정류 다이오드 포
Semiconductor devices-Discrete devices-Part 2:Rectifier diodes-Section Two : Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for currents greater than 100 A
이 규격은 스위칭용 바이폴러 트랜지스터 개별 규격 지침에 대하여 규정한다.
Semiconductor devices-Discrete devices-Part 7:Bipolar transistors-Section three:Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications
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