硅光电探测器技术特点

【技术特点】-- 硅光电探测器

主要特点：

■ DSi200/DSi300硅光电探测器

硅光电探测器（Si）
———室温型探测器，波长范围：200-1100nm
两种型号的探测器室的外观相同，其中：
◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器
◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器
◆ 推荐配合I-V放大器（型号：ZAMP）使用
硅光电探测器使用建议：
◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；
◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；
◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器。

【技术特点对用户带来的好处】-- 硅光电探测器

【典型应用举例】-- 硅光电探测器