Hiden SIMS Workstation二次离子质谱仪参数指标

描述：

Hiden SIMS二次离子质谱工作站提供高性能静态和动态 SIMS 分析，用于的表面成份分析和深度剖析。

SIMS 工作站(SIMS Workstation－a complete SIMS Analysis Facility) ，综合UHV / SIMS 设备，进行高级的表面分析。可靠的、普遍适用的SIMS分析工作站。

·整合的离子源，便于RGA和SNMS

·各类型样品的快速转向

·阴、阳离子、中性粒子、自由基的质量、能量分析仪

·整合的离子枪光栅控制和信号选通，进行深度分析

·绝缘体研究中的电子流枪用于电荷中和

·液氮冷井和真空室烘烤加热器

·自动的SIMS 离子光学透镜调谐和质量数列表，使SIMS性能最佳

·Hiden EQS SIMS 分析仪，运行于 MASsoft O/S 之下，检测限至ppb级

·基本的激发源选择： 带差式泵的Hiden IG20 Ion，IFG200 FAB或高性能液态镓枪

·快速样品传递，样品固定，负载锁定的操纵器

·4 轴：X, Y, Z, θ UHV 操纵器，以最佳定位样品

·加上ESM LabVIEW和SIMS 成像程序，进行SIMS元素成像

·静态SIMS谱图库可用

技术参数：
质量数范围：300，510或1000amu
分辨率：5%的谷，两个相连的等高峰。
检测器：离子计数检测器，正、负离子检测
检测限：1:10E7
质量过滤器：三级过滤四极杆（9mm杆）
主离子枪： A，氧离子或其它气体，能量到5KeV
          B，Ga离子枪，能量25KeV（选配）
空间分辨率：A：100～150um
           B: 50nm
取样深度：2个单分子层（静态）
         不受限制（动态）