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确保的性能，包括标配的 8800 主机型 (#100) 和半导体选项(#200)
| 参数 | 单位 | 元素/比率 | 8800＃100 | 8800＃200 |
| 灵敏度 | Mcps/ppm | Li(7) | 100 | 100 |
| Mcps/ppm | Co(59) | N/A | 40（冷等离子体） | |
| Mcps/ppm | Y(89） | 350 | 700 | |
| Mcps/ppm | Tl（205） | 200 | 250 | |
| 背景（on-mass) | cps | 无气体 | 0.3(9,260) | 0.3(9,260) |
| 氧化率 | ％ | CeO+/Ce+ | 1.5 | 3 |
| 双电荷率 | ％ | Ce++/Ce+ | 3 | 6 |
| 无气体模式DL | ppt | Be(9) | 0.1 | 0.1 |
| ppt | Fe(56) | N/A | 2（冷等离子体） | |
| ppt | In(115) | 0.05 | 0.05 | |
| ppt | U(238) | 0.05 | 0.05 | |
| He模式检测限DL+ | ppt | As(75) | 20 | N/A |
| ppt | Se(78) | 40 | N/A | |
| H2模式检测限DL* | ppt | Fe(56) | N/A | 3 |
| ppt | Se(78) | 1 | 1 | |
| O2模式检测限DL* | ppt | S(如SO+) | 200 | 200 |
| ppt | P(如PO+) | 50 | 50 | |
| 短期稳定性（20分钟） | %RSD | Li,Y,Tl | <3 | <3 |
| 长期稳定性（2小时） | %RSD（%漂移） | Li,Y,Tl | <3(4%) | <3(4%) |
| 同位素比精密度* | %RSD | 107Ag/109Ag | <0.2 | <0.2 |
| 丰度灵敏度* | M-1/M,M+1/M | Cs(m=133) | 1×10-10(L,H) | 1×10-10(L,H) |