测量原理和技术

可调制半导体激光吸收光谱(TDLAS，Tunable Diode LaserAbsorption Spectroscopy)Herriott腔增强技术

技术指标

≤±1ppm(低量程)

≤±2ppm/6个月(低量程)

≤±1ppm(低量程)

准确度：≤±2% F.S./6个月(标准量程) ≤±2ppm(低量程)

精度：≤±1% F.S.(标准量程) ≤±0.5ppm(低量程)

灵敏度：≤±1% F.S.(标准量程) ≤±1ppm(低量程)

线性误差：≤±1% F.S.(标准量程)

量程漂移：≤±2% F.S./6个月(标准量程)

重复性误差：≤±1% F.S.(标准量程)

防爆等级：Ex d llB T4+H2

防护等级：IP6

响应时间

预热时间≤60min 仪器响应时间(T90)<3s

接口信号

模拟量输出：2路(4~20)mA，隔离、zei大负载 500Ω

继电器输出：3路继电器，规格24V，1A

数字通讯：RS 485/ RS 232、modbus

电气特性

电源：(200~240)V AC/(48~63)Hz

功耗：≤450W

EMC：IEC 61000-4-2 IEC 61000-4-5 IEC 61000-4-4

电气安全：IEC 61010 -1

工作条件

样气要求：无尘、无水、无油(过滤精度至少0.5μm )

工作温度：(-20~50)℃

推荐流量：(1~5)L/min

测量气体参数