规格
HRTEM 线分辨率 |
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HRSTEM [海里] |
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总束流 FEG |
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EDS系统 |
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EDS 能量分辨率 |
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快速 EDS 映射 |
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EDS净立体角 |
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Talos F200S
总束电流:>150nA
探针电流:1nA@1nm探针(200 kV)
EDS系统:2 SDD无窗设计,shutter保护
能量分辨率:≤136 eV,对Mn-Kalpha和10kcps(输出)
快速EDS:像素驻留时间低至10 us
Talos F200X
明场X-FEG:1.8×109 A/cm2 srad(@200kV)
总束电流:>50nA
探针电流:2nA@1nm探针(200 kV);0.4 nA@0.31nm探针
EDS系统:2 SDD无窗设计,shutter保护
能量分辨率:≤136 eV,对Mn-Kalpha和10kcps(输出)
快速EDS:像素驻留时间低至10 us
A-TWIN
STEM HAADF分辨率:0.16nm
EDX固态角度(srad):0.45
TEM线分辨率:0.12nm
TEM点分辨率:0.25nm
STEM放大倍数:150×-230M×
TEM放大倍数:25×-1.50M×
相机长度:12-5700mm
zei大衍射角:24°
zei大tilt角,带双tilt支架:±30°
zei大goniometer(stage)tilt角:±90°