光谱室设计: 一米焦距,帕邢龙格装置,真空型,恒温控制(38±0.1℃),特殊铸铁材料制造, zei多安装60条通道
狭缝宽度:入射狭缝:20μm;出射狭缝:25, 37.5, 50, 75μm
光电倍增管:Φ28mm, 10级侧窗管, MgF2、UV玻璃、硼硅酸盐玻璃或人造石英窗
光栅
根据分析任务, 仪器配置以下三种光栅中的一种:
1080 gr/mm, 1667 gr/mm, 2160 gr/mm
分辨率:视光栅、出射狭缝和光谱级而定
试样台:内置自循环冷却系统;充氩样品台
CCS和TRS:电流控制光源(CCS)和时间分辨光谱(TRS),提高了仪器分析能力
光谱仪控制:
利用CMOS技术的APLMMB386微处理器, 状态控制卡; 每条通道均配置数模(A/D)转换器和衰减器
测量电子部分的动态范围与测量时间成正比,通常是2 x 106计数/秒
机壳: 内置除尘保护与高容量的冷却风扇
环境要求: 室温16~30℃,zei大允许温差为5℃/小时;相对湿20~80%
电源要求:电压230V(+10% / -15%),保护性接地的单相电源(电压波动超过±10%时需用5KVA稳压器)
电流:12A,包括计算机、显示器和打印机
频率:50Hz或60Hz
接地电阻:<1Ω
氩气要求:纯度>99.996%, zei大氧含量5ppm (分析高Si样品时, zei大氧含量为2ppm)对低碳分析,推荐使用氩气净化器
消耗:功率2.6KVA
氩气:分析时,流量5升/分;待机时,0.7升/分(CNO选项为1.5升/分)
遵守的标准:
98/37/EEC机械
73/23/eec低电压材料
89/336/EEC电磁兼容性
尺寸和重量:169×91×122cm(包括激发台);约540kg
附件和选项: 火花数据采集处理系统Spark-DAT超低CNO分析
丝状样品或其它小样品分析用具
氩气净化系统
稳压电源
不间断电源(UPS)