TOF.SIMS 5 飞行时间二次离子质谱参数指标

【TOF.SIMS 5主要配置】

1. TOF.SIMS 5 – 100: 包括分析器，真空系统，软硬件等基本配置。 

2. Bi Nanoprobe: 第二代液态金属团簇离子源，30kV，离子光学镜筒，3级透镜，具有动态质量分离功能。 

3. Gas Cluster离子源: 20kV气体团簇离子源，主要用于有机样品深度剖析和三维分析的剥离源。 

4. DSC-S: 用于深度剖析溅射用离子源的连接控制装置。 

5. EI Source: 与DSC-S 连用的电子轰击对气体进行电离的离子源，可以作为O源，Xe源，Ar源等。

6. Cs Source: 与DSC-S 连用的热电离的Cs离子源。与EI源选择使用可以提高待测离子的产额

7. Gas Flood A: 可以提高离子产额的气体覆盖自动控制系统。

8. EDR辅助分析：用于加强二次离子的收集，包括高速二次离子质量选择挡板等软硬件改造。

【TOF.SIMS 5 技术指标】

1. 可以分辨同位素。

2. 达到ppm~ ppb级的探测极限。

3. 可以并行探测所有元素和化合物，具有极高的传输率（可以达到100%）。

4. 采用高效的电子中和枪，可以精确的分析绝缘材料。

5. 具有很小的信息深度（小于1nm）；可以分析材料最表层（原子层）的结构。

6. 70nm以下的空间分辨率，对于样品表面的组成结构一目了然。

7. 可以探测的质量数范围包括12000原子量单位以下的所有材料，包括H, He等元素。

8. 可以同时给出分子离子峰和官能团碎片峰；可以方便的分析出化合物和有机大分子的整体结构。 

9. 采用双束离子源可以对样品进行深度剖析，深度分辨率小于1 nm。 

10．质量分辨率验收标准在12000以上，通常的系统分析在质量数(m/z>100)附近可以达到17000以上。

　　1.可以并行探测所有元素和化合物，具有极高的传输率，只需要一次 轰击就可以得到研究点的完整质量谱图。

　　2.可以探测的质量数范围包括10000原子量单位以下的所有材料。包 括H, He等元素。

　　3.可以分辨同位素。

　　4.质量分辨率可以达到10000至15000以上 !

　　5.具有很小的信息深度(小于1nm);可以分析材料zei表层(原子 层)的结构

　　6.极高的空间分辨率，对于样品表面的组成结构一目了然。

　　7.达到ppm - ppb级的探测极限。

　　8.对于化合物，可以同时给出分子离子峰和官能团碎片峰;可以方便 的分析出化合物和有机大分子的整体结构。

　　9.采用双束离子源可以对样品进行快速深度剖析。

　　10.采用高效的电子中和枪，可以精确的分析绝缘材料。