脉冲电子束沉积系统
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技术指标:


真空腔18“ 直径的球形腔体
8“CF 窗口
6.75“CF PED 源窗口
3 个6“CF 窗
额外的2.75“ 与1.33“CF 窗口
PED源电子枪能量:8-20 keV
脉冲能量:最大能量800 mJ
最小能量100 mJ
工艺气体压强: 3-20 mTorr
工艺气体: 氧气,氮气,氩气
脉冲能量变化: ±10%
脉冲宽度: 100 ns
最大重复率: 10Hz at 15kV,5Hz at 20kV
最小束截面: 8 x10-2 cm²
最大能量密度 :1.3 x 108 W/cm²
Z 向对准范围: 50 mm
XY 向对准范伟: +/- 20 mm
火花塞寿命 ~3x107 脉冲
基片加热器最大直径2“,最小10x10mm²
最高温度:850 ℃
基片旋转:1-30 RPM(360° 旋转)
基片加热器:兼容1 个大气压的氧压
加热器温度通过可编程的PID 控制
多靶材旋转台
6 个1“ 的靶材或3 个2“ 的靶材
靶材旋转:360° 连续旋转(1-20 RPM)
靶材栅格式扫描
独特的靶材栅格化烧蚀方案
靶材索引,镀多层薄膜
靶材高度可调
靶材挡板避免靶材间的交叉污染
提供连续组成扩展/ 组合PED 的能力
PED系统软件
Windows 7, LabVIEW 2013
控制基片加热台
控制靶材公转台
控制真空泵
控制质量流量计
外部的PED 源触发器
可选的工艺自动化选项
真空泵干泵,涡轮分子泵
本底真空压强:标准配置8 x 10-8 Torr
涡轮分子泵转速由软件控制


应用领域:

脉冲电子束沉积系统PED沉积的代表性材料示例
• 高温超导(HTS) YBCO( 和GdBCO) 薄膜
• 顺电(Ba-SrTiO3) 薄膜
• 金属氧化物(SrRuO3) 薄膜
• 隔热/ 音玻璃(SiO2) 膜和Al2O3 膜
• 聚四氟乙烯(PTFE) 薄膜

相关电子束刻蚀