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等离子体增强原子层沉积系统（Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition System，PEALD)
产地：美国埃米
主要产品系列：
1.ALD (传统的热原子层沉积)；
2.PEALD (等离子增强原子层沉积)；
3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积)；
仪器简介：
原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。
原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。
ALD的优点包括：
1. 可以通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，从而达到原子层厚度精度的薄膜；
2. 由于前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜；
3. 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层；
4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物；
5. 薄膜生长可在低温下进行（室温到400度以下）；
6. 可广泛适用于各种形状的衬底；
7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。
技术参数：
基片尺寸：4英寸、6英寸、8英寸、12英寸；
加热温度：25℃—400℃（可选配更高）；
均匀性： < 1%；
前驱体数：4路（可选配6路）；
兼容性： 可兼容100级超净室；
尺寸：950mm x 700mm；
ALD及PE-ALD技术；
原子层沉积ALD的应用包括：
1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；
2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；
3) 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；
4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；
5) 纳米结构 (All ALD Material)；
6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；
7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；
8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；
9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO);
10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2);
11) OLED钝化层 (Al2O3);
12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；
14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2);
16) 光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);
17) 传感器 (SnO2, Ta2O5);
18) 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)；
目前可以沉积的材料包括：
1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...
5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...
6） 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...
7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...
产地：美国Angstrom；
型号：Angstrom Dep II, Angstrom Dep III；
原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition）是一种原子尺度的薄膜制备技术，它可以沉积均匀一致、厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展，器件和材料的尺寸要求不断地降低，同时器件结构中的宽深比不断增加，这样就要求所使用材料的厚度降低至十几纳米到几个纳米数量级。因此原子层沉积技术逐渐成为了相关制造领域不可替代的技术，其优势决定了它具有巨大的发展潜力和更加广阔的应用空间。
主要型号：
- Angstrom Dep II: 热型原子层沉积系统 (T-ALD);
- Angstrom Dep III: 等离子体增强原子层沉积系统 (PEALD);
- Angstrom Dep I: 粉末原子层沉积系统 (Powder ALD);
技术规格特点：
- 基底尺寸：3英寸，4英寸，6英寸，8英寸，12英寸；
- 基底加热温度：25℃~450℃(选配：650℃)；
- ALD沉积均匀性：<1% (AL2O3@4”晶圆衬底)；
- 前驱体源路：4路 / 6路 / 8路，可选；
- 源瓶容量/温度：100cc，常温 / 150℃ / 200℃ / 250℃可选；
- ALD阀门：Swagelok高温ALD阀，150℃ / 200℃ / 250℃可选；
- 载气：氮气或者氩气；
- 真空获得系统：阿尔卡特真空机械泵，也可选配普发分子泵或高速干泵；
- 其他可选模块： Load-Lock样品传输腔室，手套箱，冷阱，臭氧发生器，等离子体源、粉末沉积腔，各种原位监测模块，尾气处理系统等；
ALD可沉积材料分类：
- 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
- 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
- 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...
- 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
- 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...
- 金属单质：Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...
- 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...
等等…
参考用户：
中科院化学所，中科院大连化物所，中科院长春光机所，北京大学，北京工大，北京科大，电子科大，上海理工大学…
参考成交价格：