T/CASAS 002-2021
宽禁带半导体术语
Terminology for wide bandgap semiconductors
T/CASAS 002-2021 中，可能用到以下仪器
- 标准号
- T/CASAS 002-2021
- 发布
- 2021年
- 发布单位
- 中国团体标准
- 当前最新
- T/CASAS 002-2021
- 本文件规定了宽禁带半导体材料的制备与应用相关领域的术语及其定义。 本文件适用于典型的宽禁带半导体材料，如：氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、氧化镓（b-Ga2O3）和金刚石等半导体材料及其应用的研发、生产制造及相关领域的从业者。
T/CASAS 002-2021相似标准
推荐
扎根宽禁带半导体物理，推动宽禁带半导体技术发展——王蓉研究员 | 用户动态
02攻关宽禁带半导体中的杂质与缺陷难题目前，宽禁带半导体材料的掺杂主要存在以下问题：掺杂剂固溶度受限、双极掺杂困难、原生杂质与本征缺陷的补偿效应限制宽禁带半导体导电性能的提升。...
郝跃院士：宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展
图2 宽禁带半导体电子器件特性优势随着4G和5G移动通信、雷达探测、轨道交通、光伏发电、半导体照明、高压输变电等应用领域的不断发展，宽禁带和超宽禁带半导体器件已成为国际半导体器件和材料的研究和产业化热点，中国目前在宽禁带半导体器件方面开始全面产业化应用（图3），在超宽禁带半导体器和材料方面取得了很好的基础研究成果。国内在该方面的发展态势也较好。...
专家建议加快宽禁带与超宽禁带半导体器件发展
由这些材料制成的宽禁带或超宽禁带半导体，其关态特性接近于绝缘材料，在高温、高压、高频、大电流等极端工作条件下优势明显，并且损耗小。常见的宽禁带材料包括氮化镓、碳化硅等，禁带宽度超过4个电子伏特的材料被称为超宽禁带半导体材料，包括金刚石、氧化镓、氮化铝等。 与会专家介绍，目前中国应用宽禁带半导体方面已进行了多种尝试。...
材料人报告丨宽禁带半导体材料研究报告
【简介】宽禁带半导体材料也被称为第三代半导体材料（一代和二代分别为硅、锗），其带隙大于或等于2.3 eV。宽禁带半导体材料一般具有电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好等特点，受到了研究者广泛研究。传统的宽禁带半导体有SiC、GaN、ZnO和Ga2O3等，以及其他II-VI组化合物材料。...