产品描述
单晶砷化晶体
| 晶体材料 | Single Crystal Gallium Arsenide, VGF / LEC grown, 高纯单晶 | |
| 晶向 | (1 0 0) / (1 1 1) | |
| 掺杂 | Undoped / Zn | Si / Te |
| 直径 | 50.8 ± 0.25mm / 76.2± 0.25mm / 100.0 ± 0.4mm | |
| 晶向 | （ 100 ） α 0 ±β 0 , off angle α and accuracy β upon request | |
| 电阻率 | (1-30)x10 7 Ω.cm | (1-10)x10 -3 Ω.cm |
| 迁移率 | ≥ 5000 cm2 / V·sec | N / A |
| 掺杂浓度 | N / A | (0.1-3.0)×10 18 /cm3 |
| 腐蚀缺陷密度 | ≤ 5·10 3cm-2 /7·10 4cm-2 | ≤ 5·10 2 cm -2 |
| 主定位边 | (0-1-1)±0.5deg, 16 ±1.0mm /22±1.0mm/32.5±1.0mm | |
| 次定位边 | (0-1 1) )±5.0 deg, 8 ±1.0mm / 11±1.0mm/ 18±1.0mm | |
