晶体材料

Single Crystal Gallium Arsenide, VGF / LECgrown, 高纯单晶

晶向

(1 0 0) / (1 1 1)

掺杂

Undoped / Zn

Si / Te

直径

50.8 ± 0.25mm / 76.2± 0.25mm / 100.0 ± 0.4mm

厚度

325 ± 25um / 550 ± 25um / 625 ± 25um

晶向

（ 100 ） α ⁰ ±β ⁰, off angle α and accuracy β upon request

电阻率

(1-30)x10 ⁷ Ω.cm

(1-10)x10 ^-3 Ω.cm

迁移率

≥ 5000 cm² / V·sec

N / A

掺杂浓度

N / A

(0.1-3.0)×10 ¹⁸ /cm³

腐蚀缺陷密度

≤ 5·10 ³cm^-2 /7·10 ⁴cm^-2

≤ 5·10² cm^-2

主定位边

(0-1-1)±0.5deg, 16 ±1.0mm /22±1.0mm/32.5±1.0mm

次定位边

(0-1 1) )±5.0 deg, 8 ±1.0mm / 11±1.0mm/ 18±1.0mm

 正面

Polished in Epi-ready Prime grade, 外延生长级抛光

反面

Polished / Lapping or Etched, 抛光 / 研磨或腐蚀

包装

N2 filled ， cassette / fluoroware, 25pcs /single piece, 100级洁净室真空冲氮包装,25片卡盒/单片币式