利用原子力显微镜对半导体制造中的缺陷进行检测与分类

应用领域:电子/电器/半导体

资料类型:其他资料

方案摘要

利用原子力显微镜进行的自动缺陷复检可以以纳米级的分辨率在三维空间中可视化缺陷,因此纳米级成像设备是制造过程的一个重要组成部分,它被视为半导体行业中的理想技术。

结合原子力显微镜的三维无创成像,使用自动缺陷复查对缺陷进行检测和分类。

伴随光刻工艺的不断进步,使生产更小的半导体器件成为可能。 随着器件尺寸的减小,晶圆衬底上的纳米级缺陷已经对器件的性能产生了限制。 因此对于这些缺陷的检测和分类需要具有纳米级分辨率的表征方法。 由于可见光的衍射极限,传统的自动光学检测(AOI)无法在该范围内达到足够的分辨率,这会损害定量成像和随后的缺陷分类。 另一方面,使用原子力显微镜 (AFM) 的自动缺陷复检 (ADR)技术以 AFM 常用的纳米分辨率能够在三维空间中可视化缺陷。 因此,ADR-AFM 减少了缺陷分类的不确定性,是半导体行业缺陷复检的理想技术。

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