产品描述
工业领先的低噪声帕克原子力显微镜于长距离滑动台相结合，成为用于化学机械抛光计量的原子力轮廓仪，新的低噪声AFP为局部和全面均匀性测量提供了非常平坦的轮廓扫描，具有好的轮廓扫描精度和市场可重复性，这保证在宽范围的轮廓量程上没有非线性或高噪声背景去除的高精度测量。
主要技术特点
200 mm电动XY平台 | 300 mm电动XY平台 | 电动Z平台 |
行程可达275mm x 200mm, 0.5 μm分辨率 | 行程可达400 mm x 300 mm， 0.5μm分辨率 | 25 mm Z行程距离 0.08μm 分辨率 |
电动聚焦平台 | 样品厚度 | COGNEX图像识别 |
8mm 行程Z轴光学距离 | 厚至 20mm | 图像校正分辨率1/4 pixel |
200mm 系统 | 300mm 系统 | 设备需求环境 |
2732mm x1100mm x 2400 mm 大约2110kg 操作员空间:3300mm x 1950mm | 3486mm x 1450 mm x 2400 mm 大约2950 kg 操作员空间: 4770mm x 3050 mm | 室温10 ℃~40 ℃ 操作18 ℃~24 ℃ 湿度 30%~60% |
主要功能
1.晶圆和基底的自动缺陷检测
新的300mm光片ADR提供了从缺陷映射的坐标转换和校正缺陷的测量和放大扫描成像的全自动缺陷复查过程，不需要样品晶圆做任
何的标记，
2.亚埃米级表面粗糙度控制
通过在整个晶圆区域提供低于0.5埃的业界低噪音下线，可以对平坦的基底和晶圆进行精确，可重复和可再现的亚埃米级粗
糙度测量，并小化针尖的变量，即使对扫描尺寸达到100μm x 100 μm的远距离波长，也能够获得非常精确和可重复的表面测量
3.CMP进行表征的长范围轮廓扫描
Park NX-Wafer 实现了先进的CMP测量，包括凹陷、侵蚀和边缘过度侵蚀（EOE）的局部和局部的平坦度测量。
应用
线宽测量
光滑材料表面粗糙度测量
晶圆缺陷自动检测应用
