邀请函 | 等离子技术在刻蚀工艺中的应用研讨会—西安站

2018-10-22 14:54

1540191082808064.jpg

“等离子技术在刻蚀工艺中的应用研讨会”是由牛津仪器主办的针对等离子技术在刻蚀工艺中的信息共享盛会。

本次活动我们将邀请来自西电大学、西北工业大学以及牛津仪器的技术专家为大家呈现行业最前沿的信息与应用实例,同时针对一些应用中存在的问题进行阐述并给出一些合理化的建议。

640?wx_fmt=png&tp=webp&wxfrom=5&wx_lazy=1&wx_co=1

等离子技术在刻蚀工艺中的应用

  2018年11月7日 9:00 -17:00 西安天骊君廷大酒店 · 少华厅(西安市雁塔区太白南路198号)

主要议题:(以下议题会有略微改动,以之后发送的新版为准)

Topic

Speaker

09:00-

09:20

Grand Opening-Introductionof OIPT Products Line

欢迎致辞—牛津仪器等离子技术部全产品介绍

Ian Wright, Asia VP,

Oxford Instruments Plasma  Technology

09:20-

09:40

Grand Opening-Introductionof OI China

欢迎致辞—牛津仪器公司介绍

Peng ZHANG, GM,

Oxford Instruments China

09:40-

10:30

Etching Process in GaN

氮化硅中的刻蚀工艺

Professor

Xi'an University

10:30-

11:15

InP  etching process instruction in opto device

光学器件中InP刻蚀工艺

Dr.  Ligang DENG, Principal Process Engineer

Oxford  Instruments Plasma Technology

11:15-

12:00

Etching  and deposition challenge in modern power device

功率半导体器件制造中的挑战

Dr.  Young HUANG, Senior Application Engineer

Oxford  Instruments Plasma Technology

12:00-

13:00

Lunch  (Buffet)

13:20-

14:15

Plasma solution in VSCEL

VCSEL制造的等离子体解决方案

Dr.  Ligang DENG, Principal Process Engineer

Oxford  Instruments Plasma Technology

14:15-

14:30

Lucky Draw

14:30-

15:15

Etch process in MEMS Application

刻蚀在MEMS中的应用

 Professor

 Northwestern Polytechnical University

15:15-

15:45

Tea Break

15:45-

16:30

Deep Si Etch process in MEMS and TSV application

深硅刻蚀在MEMS和TSV中的应用

Dr.  Young HUANG, Senior Application Engineer

Oxford  Instruments Plasma Technology

16:00-

16:30

Free  Discussion

640?wx_fmt=png&tp=webp&wxfrom=5&wx_lazy=1&wx_co=1

在这里你能遇到众多等离子技术研究者和牛津仪器应用专家,彼此分享经验、相互学习… 获得我们确认后,您可免费参加本次会议,因名额有限,请通过以下方式提前预定席位。

发送邮件:china.info@oxinst.com或拨打牛津仪器热线电话400-678-0609


领域:电子/电器/半导体

标签:等离子技术,刻蚀工艺,牛津仪器

相关产品