EVG 850LT 自动化生产键合系统用于SOI和直接晶圆键合适用于多种融合/分子晶圆键合应用。晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的关键技术。借助EVG850LT自动化生产键合系统进行机械对准SOI的，并配以具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合，实现了融合的所有基本步骤-从清洁，等离子活化和对准到预键合和IR检查-。经过实践检验的行业标准EVG850LT确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量，高产量生产工艺。
特征包括利用EVG的LowTemp™等离子激活技术进行SOI和直接晶圆键合适用于各种融合/分子晶圆键合应用；生产系统可在高通量，高产量环境中运行盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）；无污染的背面处理超音速和/或刷子清洁；机械平整或缺口对齐的预粘合先进的远程诊断技术数据晶圆直径（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作预粘接室对齐类型：平面到平面或凹口到凹口对准精度：X和Y：±50µm，θ：±0.1°结合力：最高5N键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件）LowTemp™等离子激活模块2种标准工艺气体：N2和O2，以及2种其他工艺气体：高纯度气体（99.999％），稀有气体（Ar，He，Ne等）和合成气（N2，Ar和H4含量最高）。通用质量流量控制器：最多可对4种工艺气体进行自校准，可对配方进行编程，流速最高可达到20.000sccm真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件），高频RF发生器和联系******微信同号）